離軸濺射技術由俄亥俄州立大學開發，已經成功應用了近十年。它可用于生長各種材料的晶體外延薄膜，包括鈣鈦礦氧化物、磁性石榴石、金屬間化合物和其他材料。這種低成本多功能的系統可生產出與MBE和PLD相媲美的高質量薄膜。
技術特點：
? 離軸濺射的原理為通過捕獲較低能量的離軸發射原子，可以形成外延薄膜
? 設備使用獨特的低壓條件和壓制粉末靶材，使膜的組份均勻分布在基板上，以實現單晶
生長和精確的薄膜化學計量
? 設備配置2到6個離軸濺射陰極及最多3個共焦濺射陰極，最大基片尺寸1英寸
? 工藝氣體輸送系統的設計允許更寬范圍的氧分壓以實現理想的氧化物生長
? 可選的超高真空配件允許沉積高純度金屬膜層
? 該技術鍍膜可產生精確的原子有序性和平滑及低缺陷的薄膜
