蘇州微科鼎鍍膜科技有限公司
后氧化鍍膜設備

后氧化/后氮化鍍膜設備

后氧化鍍膜是先濺射金屬層后再進行氧化或者氮化的一種鍍膜技術。先用磁控濺射進行金屬膜層的沉積,沉積的厚度由濺射功率和工件架旋轉速度決定,然后再由射頻等離子體源進行氧化或者氮化,一般每次沉積1-3nm。

后氧化鍍膜設備采用射頻等離子體源,離化率非常高。離子源通入氧氣或者氮氣等反應氣體后,絕大部分氣體被離化,活性非常高,產生高濃度的等離子體。采用磁控濺射沉積的很薄的金屬層經過包含高濃度氧離子或氮離子的氣氛時,迅速被氧化或者氮化。

后氧化鍍膜工藝需要針對特定的材料選定諸如轉速、濺射功率以及等離子體源的參數和工藝氣體的參數,以保證能完全氧化和氮化,或者保證能達到所需的氧化和氮化程度。

主要應用領域:

ü  沉積諸如硅、鈮、鈦、鋁、鋯和硅等的氧化物薄膜,應用于UV, VIS, NIR, SWIRMWIR

范圍的光學薄膜。

設備特點:

采用立式設計,可以有效避免工藝過程中存在的顆粒問題

膜層沉積速率快,且可以同時沉積高折射率和低折射率材料,工藝溫度一般低于150℃

相對于反應濺射需要過氧才能做到無吸收并因此產生的許多問題都可以避免

設備轉速可控,鍍膜均勻性優異

工件架設計為鼓狀,鼓狀有多個面可用于懸掛不同尺寸的基片

根據需要可配置具有實時優化功能的寬帶或單波長光控系統

自動工作模式下具有光學參數和鍍膜厚度的精確重復性

 

標準型號設備技術參數

最大基片尺寸

160x200mm(1次可安裝7)

滾筒式工件架直徑

425mm

單次運行直徑30mm基片數量

128

工藝腔極限真空

1x10-4Pa

膜厚均勻性

±1.0%

核心設備配置

ICP射頻等離子體源

磁控濺射陰極

在線監控

單波長或寬帶光控系統



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設備外形圖


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