蘇州微科鼎鍍膜科技有限公司
離子束濺射鍍膜設備

離子束濺射設備

LIDIZ IBS濺射系統是一種應用廣泛的高效精密光學鍍膜設備。LIDIZ配備用于基片預清洗、表面活化、濺射輔助的射頻柵網離子源,以及射頻中和器。LIDIZ用于從多種材料中獲得高精度、高質量的薄膜,提供獨特的光學工藝控制系統:單波長OCP和寬帶OCP,可智能實時優化光學鍍膜設計,自動完成高精度和優異重復性的復雜濾光片鍍膜。

  • 配置射頻中和器的射頻離子束濺射沉積

  • 用于輔助、預清潔、表面活化且配置射頻中和器的射頻離子源

  • 多種IZOVAC自動光控系統配置:寬帶OCP,單波長OCP, 兼具2種控制類型的OCP Duo

  • 具有負載腔的單盤式或行星架系統可以增加產量

  • 優異的工藝穩定性及成品率


技術參數

裝機面積

3540×1840×2000 mm (L×W×H)                      

設備重量

4500 kg

濺射源

配射頻中和器的柵網型射頻離子源

輔助源

配射頻中和器的柵網型射頻離子源


工件架鍍膜面積

單盤式?320 mm (800 cm2)

行星式3×?320 mm ( 2400 cm2)

負載腔

適用單盤式工件架

鍍膜均勻性

≤±0.5%

≤±0.25% 使用均勻

工藝控制系統

OCP自動光學控制系統

  • 寬帶OCP

  • 單波長OCP

  • 兼具2種控制類型的OCP Duo

 

基片材料

玻璃陶瓷、彩色及消色差光學玻璃、石英、氟化鉀、藍寶石等。

最大靶位數

4 pcs

濺射靶材

TiO2, Ta2O5, Nb2O5, ZrO2, HfO2, SiO2, etc.

鍍膜速率

1.4 - 2.1 ? /sec 由具體材料決定

工藝中基片溫度(無加熱情況)

<100 оС.

基片加熱系統溫度

≤250 оС.

基片加熱均勻性

± 2оС

極限真空度

8E-5 Pa

達到極限真空時間

8 hours

工藝起始壓力

8E-4 Pa

達到工藝起始壓力時間

30 min

真空泵系統

干式機械泵&冷阱泵

可選分子泵

鍍膜實例

532 nm 窄帶濾光片

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532 nm + 1064 nm 帶阻濾波器

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